赫爾納供應美國Xsis晶體振蕩器CR55/U

赫爾納供應美國Xsis晶體振蕩器CR55/U

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公司簡介：

XSIS電子公司成立于1978年4月n。在XIS,我們門設計和制造晶體振蕩器和晶體單位,用于空間,工業(yè),電信和超高溫井下應用。

Xsis晶體振蕩器主要產(chǎn)品：

Xsis晶體振蕩器

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品型號：

CR55/U ,  CR60/U ,  CR61/U ,  CR64/U ,  CR67/U ,  CR69/U

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品特點：

包裝：90%Al2O3陶瓷，

密封：密封-抗氣密性

焊接重量：0.15Gms

典型，0.2Gms.

熱阻，連接到外殼(0C)：38 C/瓦特焊料回流

溫度/時間：260°℃大值為10秒。

Xsis晶體振蕩器產(chǎn)品應用：

Xsis晶體振蕩器溫晶體振蕩器XIS電子提供高晶體振蕩器在高溫應用。XIS電子公司設計并加工了這些振蕩器,以便在-55℃至230℃的擴展溫度范圍內(nèi)工作。高溫材料和經(jīng)過驗證的工藝被用來在溫度下提供。

Xsis晶體振蕩器用于老化的 PDA: 除非另有說明，用于老化的 PDA 應為2% 或1個振蕩器，以大者為準，適用于 + 23 °C 至 + 25 °C 的靜態(tài)測試。此外，臺達計算應在老化后執(zhí)行，并應計入 PDA。Xsis晶體振蕩器測量值的三角洲計算應記錄。超過規(guī)定的增量限值的部件將被拒絕并計入 PDA。

XIS電子制造的高溫晶體振蕩器是為高溫和環(huán)境的應用而設計的,如,井下鉆井測量,噴氣發(fā)動機傳感器,高溫航空電子學,高溫耦合高沖擊和振動等。通過使用內(nèi)部有工藝制造的精密石英晶體,在41年以上的軍事(QLS)和空間應用晶體振蕩器制造經(jīng)驗中開發(fā)和改進,實現(xiàn)了的良好頻率老化特性。在操作溫度范圍內(nèi)100%測試振蕩器。

Xsis晶體振蕩器總劑量輻射: 按照 MIL-STD-883方法1019，混合微電路晶體振蕩器在暴露于100克拉德的吸收劑量輻射后，應能第3.6段的電氣特性。包裝: 陶瓷，90% 分鐘。AL2O3.，重量: 0.4 Gms 大。熱阻，θJC: 40 oC/瓦。完成: 1.27微米小鍍金鎳板。用 Sn60/Pb40釬料 perMIL-PRF-55310進行熱釬料鍍錫是可選的，但需要額外的成本?；亓骱附?/span>: 在260 °C 下回流焊接10秒鐘不會降低性能。3.3密封性: Xsis晶體振蕩器電阻焊接，密封，泄漏率1(10)-8 atm-cc/s 大。3.4標記: 零件至少應標記 Xsis P/N、 Xsis 籠代碼、 ESD 符號、日期代碼和序列號。3.5大額定值: 除非另有規(guī)定，大額定值應如下: 電源電壓 -0.5至 + 4.5 VDCOperating 空氣溫度范圍 -55 oC 至 + 125 oC 儲存溫度 -55 oC 至 + 125 oC3.6Xsis晶體振蕩器電氣特性: 見表 I3.7雜化元素: 3.7.1石英晶體: 應使用高級培養(yǎng)石英晶體。作為一種選擇，Xsis 將使用額外收費的優(yōu)質(zhì) Q 掃頻石英晶體。Xsis晶體振蕩器晶體元件的評估應符合 MIL-PRF-55310。3.7.2水晶安裝: 水晶元件應安裝在4點，以便在本文規(guī)定的環(huán)境下提供足的堅固性和性能。3.7.3被動元件: 建立可靠性(ER) QPL 元件，應使用 R 小故障，或根據(jù) MIL-PRF-55310，S 級，或 MIL-PRF-38534，附錄 C，K 級適用的元件批量評估。3.7.4微電路模具應來自通過 MIL-PRF-38534級 K 級元件評定的批次。Xsis晶體振蕩器此外，電離輻射測試應在本文第3.7.5段解釋的振蕩器水平上進行。